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IC产品 SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8 - 北京首天伟业科技彩票33开奖

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SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8

SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
制造商:SANYO
库存编号:
制造商编号:ECH8619-TL-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国585
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格:特价出售
价格:
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描述信息:
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):93mohm
  • 电压 @ Rds???量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1.5A
产品属性:

重量(公斤):0.00002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):93mohm
  • 电压 @ Rds???量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1.5A